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安森美半导体推出11个新型低饱和电压BJT采用SOT23SOT563WDFN和ChipFET封装扩展

发布时间:2020-06-30 16:23:23 阅读: 来源:制棒机厂家

2006年10月30日-全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术,与传统BJT或者平板MOSFET相比,其电源效率更佳,电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。 安森美半导体分立产品部总经理MamoonRashid说:“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列,从而使设计更灵活,并实现最佳的节能。我们的BJT在同类产品中脱颖而出,在业内是电源功耗最少且热性能最佳。我们已将该系列扩展到20个以上的产品,在目前市场上高性能BJT方面为设计工程师提供最多的选择。 新型低Vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压,高速转换应用设计而成,其中电源效率控制至关重要。其特征为超低Vce(sat)—1安培下45毫伏(mV)–和高电流增益。它们具有>8,000伏(V)的出色静电放电(ESD)耐受性,可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低,提高了电源效率,并最终提高了电池电力保持能力。 SOT-23是业内最受欢迎的封装之一,且价格最低。SOT-563是最小的新型BJT封装(1.6mmx1.6mmx1.0mm)。两种WDFN封装为2.0mmx2.0mm,并且高度低,为0.7mm,是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0mmx2.0mmx1.0mm的ChipFET的整体性能最佳。 这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、LED背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。 封装及定价 完整的低Vce(sat)BJT系列备有多种行业领先的封装,包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。 要获得更多关于安森美半导体低Vce(sat)器件系列的信息,请访问,关键字为“BJT”,或联系SteveSheard(电邮地址:eard@)。 关于安森美半导体(ONSemiconductor) 安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列,是计算机、手机、便携设备、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。欲查询公司详情,请浏览安森美半导体网站:。

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